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通过对退火温度的优化，积极备作者发现APD-IID在120°C的退火温度下可以表现出0.20cm2V-1s-1的最高空穴迁移率，积极备这比其苯型同分异构体的最高迁移率高出一到两个数量级(1Py-IID:7.53×10-3cm2V-1s-1;2Py-IID:4.74×10-2cm2V-1s-1)。2019年加入南开大学化学学院，战2自动依托元素有机化学国家重点实验室独立开展研究工作。

近日，天津该课题组首次以APD作为结构基元，天津发展了D-A-D型有机半导体分子APD-IID，通过与基于芘的同分异构体进行对比研究，揭示了非苯型APD衍生物的独特性质及其在有机半导体器件中的优势(图1)。这一工作不仅证明了非苯芳烃类分子在有机半导体材料中的巨大潜力，化展也为新型有机半导体材料的发展开辟了新体系与新机遇。图4.APD-IID与其苯型同分异构体(1Py-IID和2Py-IID)的电荷传输性能对比研究综上所述，神技该工作首次将非苯芳烃APD作为结构基元应用于新型有机半导体材料的创制，神技并通过与其苯型同分异构体的直接对比，揭示了其独特的电荷分离特征与在半导体器件中的优势。

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南开大学王小野课题组在2019年发展了新颖的合成策略实现了APD的高效克级制备，天津解决了长期以来APD难以合成的问题，天津为探索基于APD的新型有机半导体材料体系奠定了坚实的化学基础(X.-Y.Wang*etal.,J.Am.Chem.Soc.2021,143,5314−5318)。

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